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引入EUV紫极外光刻技术三星计划2018年年初量产7nm


本文摘要:智能手机芯片市场竞争进一步升温,台积电已计划明年量产7纳米工艺工程,主要竞争对手三星也要求与高通合作,尽快赶上步伐。

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智能手机芯片市场竞争进一步升温,台积电已计划明年量产7纳米工艺工程,主要竞争对手三星也要求与高通合作,尽快赶上步伐。去年三星和高通已经拥有最近的晶体,即今年最强大的芯片Snapdragon835。据悉,在三星Galaxy S8发布之前,其他制造商不太可能安装Snapdragon835,不确定这是否是痛苦和三星的合作协议之一。

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据传闻,三星的主力预计在4月14日之前不会按月公布,因此截至这个日期,所有新公布的主力智能手机仍然无法自由选择去年的高端芯片Snapdragon821。Snapdragon835采用三星的10纳米FinFET工艺,芯片面积看起来更小,能效水平略有提高。

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但是考虑到所有Snapdragon835都在三星工厂销售,如果三星的10纳米FinFET工艺不完全或充分生产自己的主力产量,排他性将仍然不存在。那么,三星的动作这么快,台积战已经宣布开始测试7纳米芯片,是不是意味着三星的竞争力大幅提升?但是,如果2018年台积电的7纳米首次量产,高富帅苹果将不会自由选择台积电作为垄断芯片供应商。事实上,三星仍然在大力进行新工艺的进展。

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最近三星方面回应说,旗下的半导体部门仍然致力于全面工程过程,今后将从今年开始进行7纳米FinFET工程测试。三星半导体部门总经理HeoKuk强调,公司的目标是在2018年初量产7纳米工程。另外,三星计划在7纳米芯片生产过程中引入EUV紫外光刻技术,帮助降低成本,构建以低输出功率展开高功率输入的高性能。据HeoKuk称,三星将在7纳米工艺过程中最大限度地发挥EUV技术的优势,并在性能和功耗方面取得更大的竞争力。


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